MJ11016G

Ном. номер: 8001923916
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/8 MJ11016G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/8 MJ11016GФото 3/8 MJ11016GФото 4/8 MJ11016GФото 5/8 MJ11016GФото 6/8 MJ11016GФото 7/8 MJ11016GФото 8/8 MJ11016G
130 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 34 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
490 руб. 479 шт. 1 шт. 1 шт.
от 5 шт. — 468 руб.
от 50 шт. — 455 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 100, корпус: TO204AA, АБ

DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3 Transistor Type Bipolar Darlington Transistor Polarity NPN Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 120V Current Ic Continuous a Max 30A Voltage, Vce Sat Max 3V Power Dissipation 200W Min Hfe 1000 Case Style TO-3 Termination Type Through Hole Alternate Case Style TO-204AA Current Ic Max 30A Current Ic av 30A Current Ic hFE 20A Device Marking MJ11016 No. of Pins 2 Power, Ptot 200W Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vcbo 120V ft, Min 4MHz
Корпус TO204AA, Тип проводимости и конфигурация NPN Darl., Рассеиваемая мощность 200 Вт, Напряжение КЭ максимальное 120 В, Ток коллектора 30 А, Коэффициент усиления по току, min 1000

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
4 В
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
5 В
Длина
39.37мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 V
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
120 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
30 A
Тип корпуса
TO-204
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
26.67мм
Тип транзистора
NPN
Высота
8.51мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
39.37 x 26.67 x 8.51мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
120
Maximum Collector Base Voltage (V)
120
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
5@300mA@30A|3.5@200mA@20A
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
30
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
3@200mA@20A|4@300mA@30A
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)
4(Min)
Minimum DC Current Gain
1000@20A@5V|200@30A@5V
Maximum Power Dissipation (mW)
200000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
200
Packaging
Tray
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
TO-3
Standard Package Name
TO-204-AA
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
8.51(Max)
Package Length
39.37
Package Width
26.67(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Вес, г
13.13

Техническая документация

MJ11015 datasheet
pdf, 160 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MJ11016G
Datasheet MJ11016G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.