MMBT5551LT1G

Ном. номер: 8001923947
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/6 MMBT5551LT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 MMBT5551LT1GФото 3/6 MMBT5551LT1GФото 4/6 MMBT5551LT1GФото 5/6 MMBT5551LT1GФото 6/6 MMBT5551LT1G
2 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 9000 шт. — 1.10 руб.
Мин. кол-во для заказа 3732 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
6 руб. 5197 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 3.90 руб.
от 1000 шт. — 2.60 руб.
2.50 руб. 3-4 недели, > 1 млн. шт. 20 шт. 40 шт.
от 200 шт. — 1.80 руб.
от 600 шт. — 1.60 руб.
от 2000 шт. — 1.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,2 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1 В
Длина
2.9мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-180 В
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
160 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
0.94мм
Число контактов
3
Размеры
0.94 x 2.9 x 1.3мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
180
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
160
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1@5mA@50mA|1@1mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.15@1mA@10mA|0.2@5mA@50mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.6
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
50
Minimum DC Current Gain
30@50mA@5V|80@1mA@5V|80@10mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Supplier Temperature Grade
Automotive
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Pin Count
3
Supplier Package
SOT-23
Standard Package Name
SOT
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.94
Package Length
2.9
Package Width
1.3
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Вес, г
0.032

Дополнительная информация

Datasheet MMBT5551LT1G
Datasheet MMBT5551LT1G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.