PZTA42T1G

Ном. номер: 8001923992
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/6 PZTA42T1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 PZTA42T1GФото 3/6 PZTA42T1GФото 4/6 PZTA42T1GФото 5/6 PZTA42T1GФото 6/6 PZTA42T1G
6 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 1000 шт. — 4.80 руб.
от 2000 шт. — 4.60 руб.
от 4000 шт. — 4.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 831 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
76 руб. 896 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 42 руб.
от 5 шт. — 22 руб.
от 10 шт. — 15 руб.
8 руб. 6 дней, 10348 шт. 1 шт. 176 шт.
от 351 шт. — 6.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

NPN Bipolar Small Signal Transistor
Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 40

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
50 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Длина
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.5мм
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Тип транзистора
NPN
Высота
1.57мм
Число контактов
3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
1.57 x 6.5 x 3.5мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
PCB changed
3
Package Height
1.57
Mounting
Surface Mount
Lead Shape
Gull-wing
Tab
Tab
Package Width
3.5
Package Length
6.5
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single Dual Collector
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
300
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
300
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9@2mA@20mA
Operating Junction Temperature (°C)
-65 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.5@2mA@20mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Minimum DC Current Gain
40@10mA@10V|40@30mA@10V|25@1mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW)
1500
Maximum Transition Frequency (MHz)
50(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Supplier Package
SOT-223
Pin Count
4
Standard Package Name
SOT
Military
No
Вес, г
0.194

Дополнительная информация

Datasheet PZTA42T1G
Datasheet PZTA42T1G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.