PZT2222AT1G

Ном. номер: 8001924005
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 PZT2222AT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 PZT2222AT1GФото 3/5 PZT2222AT1GФото 4/5 PZT2222AT1GФото 5/5 PZT2222AT1G
6 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 1000 шт. — 4.60 руб.
от 2000 шт. — 4.40 руб.
Мин. кол-во для заказа 875 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
10 руб. 2527 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 7.80 руб.
от 1000 шт. — 7.10 руб.
9.40 руб. 3-4 недели, 2085 шт. 5 шт. 50 шт.
от 500 шт. — 8.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
300 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Длина
6.5мм
Максимальное напряжение коллектор-база
75 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.5мм
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1.57мм
Число контактов
3 + Tab
Размеры
1.57 x 6.5 x 3.5мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
35
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single Dual Collector
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
75
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
40
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
2@50mA@500mA|1.2@15mA@150mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.6
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
10
Minimum DC Current Gain
50@1mA@10V|35@0.1mA@10V|70@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA@1V|40@500mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW)
1500
Maximum Transition Frequency (MHz)
300(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Supplier Temperature Grade
Automotive
Automotive
No
Standard Package Name
SOT-223
Supplier Package
SOT-223
Pin Count
4
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
1.57
Package Length
6.5
Package Width
3.5
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Вес, г
0.193

Дополнительная информация

Datasheet PZT2222AT1G
Datasheet PZT2222AT1G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.