BSP52T1G

Ном. номер: 8001924018
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 BSP52T1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BSP52T1GФото 3/4 BSP52T1GФото 4/4 BSP52T1G
9 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 580 шт. — 7.60 руб.
от 1000 шт. — 7.30 руб.
от 3000 шт. — 6.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 526 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
58 руб. 2-4 недели, 448 шт. 2 шт. 2 шт.
от 50 шт. — 23 руб.
36 руб. 3-4 недели, 375 шт. 5 шт. 5 шт.
от 225 шт. — 19.60 руб.
28 руб. 3-4 недели, 65 шт. 5 шт. 25 шт.
от 65 шт. — 18 руб.
41 руб. 6 дней, 2383 шт. 1 шт. 10 шт.
от 116 шт. — 13 руб.
от 231 шт. — 11 руб.
от 461 шт. — 9.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN Darl., Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 2000

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,3 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.9 V
Длина
6.5мм
Максимальное напряжение коллектор-база
90 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 А
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.5мм
Тип транзистора
NPN
Высота
1.57мм
Число контактов
3 + Tab
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.57мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
PCB changed
3
Mounting
Surface Mount
Package Width
3.5
Package Height
1.57
Lead Shape
Gull-wing
Tab
Tab
Package Length
6.5
Type
NPN
Configuration
Single Dual Collector
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
80
Maximum Collector Base Voltage (V)
90
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.9@0.5mA@500mA
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
1
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
1.3@0.5mA@500mA
Minimum DC Current Gain
1000@150mA@10V|2000@500mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW)
1250
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Supplier Temperature Grade
Automotive
Automotive
No
Pin Count
4
Supplier Package
SOT-223
Standard Package Name
SOT
Military
No
Вес, г
0.208

Дополнительная информация

Datasheet BSP52T1G
Datasheet BSP52T1G
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.