MJE5852G

Ном. номер: 8001924075
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 MJE5852G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 MJE5852GФото 3/4 MJE5852GФото 4/4 MJE5852G
79 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 55 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
300 руб. 4 дня, 872 шт. 1 шт. 3 шт.
от 12 шт. — 160 руб.
от 23 шт. — 139 руб.
от 50 шт. — 127 руб.
314 руб. 3-5 недель, 25 шт. 1 шт. 1 шт.
254 руб. 3-4 недели, 92 шт. 1 шт. 10 шт.
360 руб. 8 дней, 100 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 300 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

TRANSISTOR, PNP, TO-220AB; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Voltage, Vceo: 400V; Current, Ic Continuous a Max: 8A; Voltage, Vce Sat Max: 2V; Power Dissipation: 80W; Hfe, Min: 5; Case Style: TO-220AB; Termination Type: Through Hole; Application Code: PHVS; Current, Ib: 4.0A; Current, Ic @ Vce Sat: 4.0A; Current, Ic Max: 8A; Current, Ic av: 8.0A; Current, Ic hFE: 5mA; Depth, External: 4.82mm; Device Marking: MJE5852; Length / Height, External: 30.02mm; Pins, No. of: 3; Power, Ptot: 80W; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Temperature, Tj Max: 150°C; Temperature, Tj Min: -65°C; Thermal Resistance, Junction to Case A: 1.25°C/W; Time, Fall @ Ic: 0.5чs; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vces: 450V; Width, External: 10.28mm
Корпус TO220AB, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 450 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 15

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Длина
10.28мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 V
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.82мм
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Тип транзистора
PNP
Высота
9.28мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5
Вес, г
2.5

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.