FDN337N

Ном. номер: 8001924202
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 FDN337N
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 FDN337NФото 3/5 FDN337NФото 4/5 FDN337NФото 5/5 FDN337N
8 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
от 680 шт. — 6.50 руб.
от 1410 шт. — 6.20 руб.
от 3000 шт. — 5.90 руб.
Мин. кол-во для заказа 615 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
12 руб. 1336 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 10 руб.
от 1000 шт. — 9 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 30V; Continuous Drain Current, Id: 2.2A; On Resistance, Rds(on): 0.065ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 4.5V; Package/Case: SuperSOT-3
Корпус TO236

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
2,2 А
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
0.94мм
Размеры
2.92 x 1.4 x 0.94мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.92мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
4 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
17 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
7 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
300 pF @ 10 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Вес, г
0.036

Техническая документация

FDN337N_Datasheet
pdf, 276 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDN337N
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.