BC857CDW1T1G

Ном. номер: 8001924401
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 BC857CDW1T1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BC857CDW1T1G
2 руб.
Цена и сроки поставки по запросу
Мин. кол-во для заказа 3760 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
6 руб. 8 дней, 17400 шт. 200 шт. 200 шт.
61 руб. 1810 шт. 1 шт. 1 шт.
от 2 шт. — 32 руб.
от 5 шт. — 14 руб.
от 10 шт. — 8 руб.
4 руб. 4 дня, 5281 шт. 1 шт. 219 шт.
от 438 шт. — 2.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT363, АБ

Корпус SOT-323-6, Тип проводимости и конфигурация 2 PNP, Рассеиваемая мощность 380 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,65 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0.9 V
Длина
2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Ширина
1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
PNP
Высота
1.1мм
Число контактов
6
Размеры
2.2 x 1.35 x 1.1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
24E
Вес, г
0.03

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.