IRFB4228
1 360 руб.
от 2 шт. —
1 230 руб.
от 5 шт. —
1 130 руб.
от 6 шт. —
1 093.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 360 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET,N CH,150V,83A,TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:83A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power D
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 83A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4530pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 330W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 33A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 3.01 |
Техническая документация
Документация
pdf, 301 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
