AO3416

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

54 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней

130 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 74 руб.

от 10 шт. — 63 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 260 руб.

Номенклатурный номер: 8001945943

Бренд: Нет торговой марки

Электроэлемент

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 5,2А, 0,9Вт, SOT23 Характеристики

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Continuous Drain Current - (A)	6.5
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	22@4.5V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	20
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??8
Maximum Power Dissipation - (mW)	1400
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Pin Count	3
Standard Package Name	SOT-23
Supplier Package	SOT-23
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	10@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	1295@10V
Case	SOT23
Drain current	5.2A
Drain-source voltage	20V
Features of semiconductor devices	ESD protected gate
Gate charge	10nC
Gate-source voltage	±8V
Kind of channel	enhanced
Manufacturer	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Mounting	SMD
On-state resistance	22mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	0.9W
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	1