AO6601
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
52 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
92 руб.
от 10 шт. —
74 руб.
от 52 шт. —
57.59 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Номенклатурный номер: 8001945961
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AO6601 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR сочетает в себе высокие характеристики и надежность. Предназначен для монтажа типа SMD, что обеспечивает удобство при пайке на печатную плату. Ток стока составляет 1,8 А, а напряжение сток-исток достигает 30 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Мощность транзистора ограничена 0,73 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,06 Ом, гарантирует эффективную работу и минимальные потери. Этот N+P-MOSFET в корпусе TSOP6 является оптимальным выбором для разработчиков, стремящихся к миниатюризации устройств при сохранении высоких рабочих характеристик. Используя AO6601 в своих проектах, вы получаете качественный компонент, проверенный временем. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N+P-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 1.8 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 0.73 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.06 |
| Корпус | TSOP6 |
Технические параметры
| Заряд затвора | 4.7/2.8нC |
| Корпус | TSOP6 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 0.73Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±12В |
| Напряжение сток-исток | 30/-30В |
| Полярность | полевой |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Сопротивление в открытом состоянии | 60/115мОм |
| Тип транзистора | N/P-MOSFET |
| Ток стока | 2.7/-1.8А |
| Case | TSOP6 |
| Drain current | 2.7/-1.8A |
| Drain-source voltage | 30/-30V |
| Gate charge | 4.7/2.8nC |
| Gate-source voltage | ±12V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 60/115mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.73W |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Документация
pdf, 477 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
