STP55NF06FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
400 руб.
от 2 шт. —
300 руб.
от 5 шт. —
232 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 35А, 30Вт, TO220FP
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 50 |
Fall Time | 15 ns |
Forward Transconductance - Min | 18 S |
Id - Continuous Drain Current | 50 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 30 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 44.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 15 mOhms |
Rise Time | 50 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel STripFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
Unit Weight | 0.071959 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 15 ns |
Forward Transconductance - Min: | 18 S |
Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 30 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 44.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
Rise Time: | 50 ns |
Series: | STP55NF06FP |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.