IRF9540S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 руб.
от 2 шт. —
460 руб.
от 3 шт. —
417 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -13А, 150Вт, D2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 19A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 150W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11A, 10V |
Series | - |
Supplier Device Package | D2PAK |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
Pd - рассеивание мощности | 150 W |
Qg - заряд затвора | 61 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 73 ns |
Время спада | 57 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.2 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 34 ns |
Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 19 |
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 200 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
PCB changed | 2 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 57 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 61(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 61(Max)10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1400 25V |
Typical Rise Time (ns) | 73 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
Width | 9.65mm |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 208 КБ
Datasheet IRF9540SPBF
pdf, 171 КБ
Datasheet IRF9540SPBF
pdf, 175 КБ
Документация
pdf, 174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов