IRFB4410

Фото 1/4 IRFB4410
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
470 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 470 руб.
Номенклатурный номер: 8001973077
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

МОП-транзистор MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 96 A
Pd - рассеивание мощности 250 W
Qg - заряд затвора 120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.65 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № SP001556060
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.4 mm
Base Product Number IRFB4410 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 88A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5150pF @ 50V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 58A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150ВµA
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 88
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) 10 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 200000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology HEXFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-220
Supplier Package TO-220AB
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 50
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 120
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 120 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 5150 50V
Typical Rise Time (ns) 80
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 55
Typical Turn-On Delay Time (ns) 24

Техническая документация

Datasheet
pdf, 801 КБ
Datasheet IRFB4410PBF
pdf, 809 КБ
IRFB4410PBF
pdf, 797 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов