IRFB4410
610 руб.
от 2 шт. —
500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, 100V, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:96A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissip
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 88 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 10@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 200000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tube |
Pin Count | 3 |
Process Technology | Single |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220AB |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 120 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 120@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5150@50V |
Вес, г | 2.863 |
Техническая документация
IRFS4410PBF Datasheet
pdf, 799 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов