IRFH5010
23 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
570 руб.
от 2 шт. —
470 руб.
от 5 шт. —
396 руб.
от 10 шт. —
367.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Номенклатурный номер: 8001988973
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 13A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:3.6W; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 13A(Ta), 100A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W(Ta), 250W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 50A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(5x6) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150ВµA |
| Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Документация
pdf, 260 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
