MMBT2222ALT1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9840 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней

110 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 52 руб.

от 10 шт. — 35 руб.

от 100 шт. — 19.41 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 220 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001994190

Бренд: Нет торговой марки

Электроэлемент

Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A

Brand	Infineon Technologies
Collector- Base Voltage VCBO	75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	600 mA
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz
Height	1 mm
Length	2.9 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	MouseReel
Part # Aliases	MMBT2222ALT1HTSA1 MMBT2222ALT1XT SP000011174
Pd - Power Dissipation	330 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	MMBT2222
Transistor Polarity	NPN
Unit Weight	0.000282 oz
Width	1.3 mm
Brand:	Infineon Technologies
Collector- Base Voltage VCBO:	75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	600 mA
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	45000
Gain Bandwidth Product fT:	300 MHz
Manufacturer:	Infineon
Maximum DC Collector Current:	600 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	SOT-23-3
Part # Aliases:	MMBT2222ALT1XT SP000011174 MMBT2222ALT1HTSA1
Pd - Power Dissipation:	330 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	MMBT2222
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.008