IRFHM830D
35 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
152 руб.
от 35 шт. —
135 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8002011865
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 20A |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.3m? |
| Maximum Drain Source Voltage | 30V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20V |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 8 |
| Product Height | 1mm |
| Product Length | 3.3mm |
| Product Width | 3.3mm |
| Typical Fall Time | 6.7ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 27nC |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 1797pF |
| Typical Rise Time | 20ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9.1ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.8ns |
| конфигурация | Single; Quad Drain, Triple Source |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2800mW |
| монтаж (установка) | Surface Mount |
| разрешение | Power MOSFET |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
