IRFHM830D

210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.160 руб.
от 10 шт.130 руб.
от 35 шт.113.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 420 руб.
Номенклатурный номер: 8002011865

Описание

Электроэлемент

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current 20A
Maximum Drain Source Resistance 4.3m?
Maximum Drain Source Voltage 30V
Maximum Gate Source Voltage ±20V
Minimum Operating Temperature -55°C
Number of Elements per Chip 1
Pin Count 8
Product Height 1mm
Product Length 3.3mm
Product Width 3.3mm
Typical Fall Time 6.7ns
Typical Gate Charge @ Vgs 27nC
Typical Input Capacitance @ Vds 1797pF
Typical Rise Time 20ns
Typical Turn-Off Delay Time 9.1ns
Typical Turn-On Delay Time 9.8ns
конфигурация Single; Quad Drain, Triple Source
максимальная рабочая температура 150°C
Максимальная рассеиваемая мощность 2800mW
монтаж (установка) Surface Mount
разрешение Power MOSFET