IRLHS6376
68 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
320 руб.
от 2 шт. —
270 руб.
от 10 шт. —
216 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8002014827
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 3.6A, PQFN-8, Transistor Polarity:Dual N Channel, Continuous Drain Current Id:3.6A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.048ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:800mV, , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Base Part Number | IRLHS6376 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | 6-PQFN(2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10ВµA |
Техническая документация
Datasheet IRLHS6376TRPBF
pdf, 290 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
