AUIRFR9024N

AUIRFR9024N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
580 руб.
от 2 шт.470 руб.
от 5 шт.391 руб.
от 10 шт.362.88 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 580 руб.
Номенклатурный номер: 8002016253
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
AUIRFR9024N P-channel MOSFET Transistor, 11 A, 55 V, 3-Pin TO-252AA | Infineon AUIRFR9024N

Технические параметры

Brand Infineon/IR
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 37 ns
Height 2.3 mm
Id - Continuous Drain Current -11 A
Length 6.5 mm
Manufacturer Infineon
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 38 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 12.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 175 mOhms
Rise Time 55 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 23 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns
Unit Weight 0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage -55 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 6.22 mm
Вес, г 0.76

Техническая документация

auirfr9024n
pdf, 1080 КБ
Datasheet AUIRFR9024NTRL
pdf, 529 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.