IGW40N120H3

IGW40N120H3
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт. со склада г.Москва
1 090 руб.
от 2 шт.980 руб.
от 5 шт.900 руб.
от 6 шт.882 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 090 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002018544
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 483 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IGW4N12H3XK SP000667510 IGW40N120H3FKSA1
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 80 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия HighSpeed 3
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3

Дополнительная информация

Datasheet IGW40N120H3

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах