IRLZ44ZS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
297 руб.
от 10 шт. —
270.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 55V, 51A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 51A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 31A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1.72 |
Техническая документация
Datasheet IRLZ44ZPBF
pdf, 391 КБ
IRLZ44ZPBF Datasheet
pdf, 381 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
