Главная › Электронные компоненты › Диоды › Диоды защиты от электростатики (ESD) › Infineon › SPA17N80C3XKSA1, Trans MOSFET N-CH 800V 17A ...

SPA17N80C3XKSA1, Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

740 руб.

Мин. кол-во для заказа 50 шт.

от 91 шт. — 710 руб.

от 257 шт. — 689 руб.

Добавить в корзину 50 шт. на сумму 37 000 руб.

Номенклатурный номер: 8003209417

Артикул: SPA17N80C3XKSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Описание Транзистор полевой SPA17N80C3XKSA1 производителя INFINEON является высоковольтным N-MOSFET устройством, предназначенным для использования в силовой электронике. Монтаж данного компонента осуществляется с помощью технологии THT (сквозного монтажа), что облегчает его установку на печатные платы. Транзистор характеризуется силой тока стока 17 А и напряжением сток-исток в 800 В, что делает его подходящим для работы в условиях высоких напряжений. Мощность составляет 42 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — всего 0,29 Ом, обеспечивая эффективное и экономичное управление мощностью. Устройство заключено в надежный корпус PG-TO220-3-FP. Приобретая SPA17N80C3XKSA1, вы получаете надежный компонент, способный удовлетворить требования вашего проекта. Код товара для поиска и заказа на сайте: SPA17N80C3XKSA1. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	17
Напряжение сток-исток, В	800
Мощность, Вт	42
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.29
Корпус	PG-TO220-3-FP

Технические параметры

Automotive	Unknown
Category	Power MOSFET
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Life Cycle	Active
Maximum Continuous Drain Current - (A)	17
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	290@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	800
Maximum Gate Source Voltage - (V)	?20
Maximum Operating Temperature - (?C)	150
Maximum Power Dissipation - (mW)	42000
Military Qualified	No
Minimum Operating Temperature - (?C)	-55
Number of Elements per Chip	1
Package Family Name	TO-220
Packaging	Tube
Pin Count	3
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220FP
Technology	CoolMOS
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	91
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	91@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	2320@25V
Maximum Continuous Drain Current	17 A
Maximum Drain Source Resistance	290 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.9V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	42 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220 FP
Series	CoolMOS C3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	91 nC @ 10 V
Width	4.826mm
Brand:	Infineon Technologies
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity:	500
Fall Time:	6 ns
Forward Transconductance - Min:	15 S
Id - Continuous Drain Current:	17 A
Manufacturer:	Infineon
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Part # Aliases:	SPA17N80C3 SP000216353
Pd - Power Dissipation:	42 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	177 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	250 mOhms
Rise Time:	15 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	72 ns
Typical Turn-On Delay Time:	25 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.1 V
Вес, г	1