IRF3710S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 5 шт. —
312 руб.
от 10 шт. —
286.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 600 |
Fall Time | 47 ns |
Height | 2.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 57 A |
Length | 6.5 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 3.8 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 86.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 23 mOhms |
Rise Time | 58 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | HEXFET Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 6.22 mm |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов