IRF3710S

IRF3710S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
480 руб.
от 2 шт.380 руб.
от 5 шт.312 руб.
от 10 шт.286.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8002024915

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 600
Fall Time 47 ns
Height 2.3 mm
Id - Continuous Drain Current 57 A
Length 6.5 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +175 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-252-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 3.8 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 86.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 23 mOhms
Rise Time 58 ns
RoHS Details
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Type HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 45 ns
Typical Turn-On Delay Time 12 ns
Unit Weight 0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Width 6.22 mm
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRF3710 datasheet
pdf, 125 КБ
IRF3710S Datasheet
pdf, 282 КБ
Документация
pdf, 309 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов