IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 50 шт. —
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 74 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02 Ом/38А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
Крутизна характеристики, S | 21 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF4905PBF
pdf, 190 КБ
IRF4905 datasheet
pdf, 108 КБ
Datash eetIRF4905PBF
pdf, 181 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают