IRF520PBF, Транзистор, N-канал 100В 9.2А [TO-220AB]
![Фото 1/6 IRF520PBF, Транзистор, N-канал 100В 9.2А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC001215990.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 15 шт. —
100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
МОП-транзистор 100V N-CH HEXFET
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.27 Ом/5.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 | |
| Крутизна характеристики, S | 2.7 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 152 КБ
Datasheet IRF520PBF
pdf, 275 КБ
IRF520PBF Datasheet
pdf, 224 КБ
Документация
pdf, 274 КБ
Datasheet IRF520
pdf, 153 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
