IRF5305S

Фото 2/2 IRF5305S
Фото 1/2 IRF5305S
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
45 шт. со склада г.Москва
240 руб.
от 2 шт.160 руб.
от 5 шт.100 руб.
от 10 шт.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002024959
Производитель: Infineon Technologies

Описание

P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 31 A
Тип корпуса D2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности 3,8 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 9.65мм
Высота 4.83мм
Размеры 10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.67мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 14 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 39 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 60 МОм
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 63 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1200 pF@ 25 V
Тип канала P
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В

Техническая документация

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах