IRF5305S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
410 руб.
от 2 шт. —
310 руб.
от 5 шт. —
246 руб.
от 10 шт. —
219.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Номенклатурный номер: 8002024959
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D2-PAK, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-31A, Drain Source Voltage Vds:-55V, On Resistance Rds(on):60mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-4V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 31A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W(Ta), 110W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF5305S, IRF5305L
pdf, 700 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
