IRF530SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; Idm: 56А; 88Вт; D2PAK
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 88 W |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 160 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 24 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26(Max)10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 670 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 34 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 23 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 88W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1.48 |
Техническая документация
Datasheet IRF530SPBF
pdf, 174 КБ
Datasheet IRF530SPBF
pdf, 170 КБ
Datasheet IRF530SPBF
pdf, 219 КБ
Документация
pdf, 174 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
