IRF640SPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
![Фото 1/8 IRF640SPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 50 шт. —
164 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 11А, 130Вт, D2PAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.18 Ом/11А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 | |
| Крутизна характеристики, S | 6.7 | |
| Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 134 КБ
Datasheet IRF640SPBF
pdf, 209 КБ
Datasheet IRF640SPBF
pdf, 204 КБ
Документация
pdf, 206 КБ
Datasheet IRF640S, SiHF640S, SiHF640L
pdf, 231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
