IRF7309
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
926 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
115 руб.
от 100 шт. —
102.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002025216
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC, Transistor Polarity:N and P Channel, Continuous Drain Current Id:4A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.05ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Корпус | SOIC-8(SMD) | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Заряд | затвора(Qg)-25 нКл | |
| Максимально допустимое напряжение | сток-исток(Vds max)-30 В; затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальный ток | Id-максимальный продолжительный, непрерывный ток стока-4 A(N-Channel), 3 A(P-Channel) | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.4 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1В | |
| Описание | 30V, 3A P-Channel and 4A N-Channel MOSFET | |
| Сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-50 мОм(N-канал);сток-исток открытого транзистора(Rds)-100 мОм(P-канал) | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | МОП-Транзистор, кремниевый, P-канал и N-канал | |
| Упаковка | REEL, 4000 шт. | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7309 Datasheet
pdf, 2083 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
