Мой регион: Россия

IRF7309

Ном. номер: 8002025216
PartNumber: IRF7309
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/5 IRF7309
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 IRF7309Фото 3/5 IRF7309Фото 4/5 IRF7309Фото 5/5 IRF7309
90 руб.
1123 шт. со склада г.Москва
от 2 шт. — 60 руб.
от 5 шт. — 40 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
17 руб. 3868 шт. 1 шт. 223 шт.
от 380 шт. — 15.10 руб.
47 руб. 1-2 недели, 9 шт. 1 шт. 1 шт.
31 руб. 4 дня, 540 шт. 1 шт. 48 шт.
от 95 шт. — 28 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4 А

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3 A, 4 A
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
6.8 ns, 11 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
22 ns, 25 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
50 mΩ, 100 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
440 пФ при -15 В, 520 пФ при 15 В
Тип канала
N, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.