IRF730A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 руб.
от 2 шт. —
590 руб.
от 5 шт. —
507 руб.
от 8 шт. —
475 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 700 руб.
Описание
Электроэлемент
N CHANNEL MOSFET, 400V, 5.5A TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:5.5A, Drain Source Voltage Vds:400V, On Resistance Rds(on):1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4.5V, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Id - непрерывный ток утечки | 5.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 74 W |
Qg - заряд затвора | 22 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 22 ns |
Время спада | 16 ns |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.1 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet IRF730APBF
pdf, 280 КБ
Документация
pdf, 279 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов