IRF7342
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1311 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
159 руб.
от 100 шт. —
138.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8002025338
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
DUAL P CHANNEL MOSFET, -55V, 3.4A, FULL REEL, Transistor Polarity:Dual P Channel, Continuous Drain Current Id:-3.4A, Drain Source Voltage Vds:-55V, On Resistance Rds(on):0.095ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3.4 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 105@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1(Min) |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 26@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 690@25V |
| Typical Output Capacitance - (pF) | 210 |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF7342TRPBF
pdf, 332 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
