IRF7404
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
243 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
120 руб.
от 10 шт. —
98 руб.
от 100 шт. —
78.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002025413
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
P CHANNEL MOSFET, -20V, 6.7A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-6.7A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):0.04ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs:-700mV , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 65 ns |
| Forward Transconductance - Min | 6.8 S |
| Height | 1.75 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -6.7 A |
| Length | 4.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SO-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 50 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
| Rise Time | 32 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 100 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Unit Weight | 0.01787 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -0.7 V |
| Width | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Документация
pdf, 232 КБ
Datasheet IRF7404
pdf, 231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
