IRF740AS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 руб.
от 2 шт. —
540 руб.
от 5 шт. —
459 руб.
от 7 шт. —
437.22 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 650 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 22 ns |
| Forward Transconductance - Min | 4.9 S |
| Height | 4.83 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Length | 10.67 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-263AB-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
| Rise Time | 35 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IRF/SIHF740Ax |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 9.65 mm |
| Крутизна характеристики S,А/В | 4.9 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 550 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 232 КБ
Документация
pdf, 209 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
