IRF9540NS
153 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
153 руб.
от 50 шт. —
132.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8002025529
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.117ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissi
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 23A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W(Ta), 110W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 14A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1.35 |
Техническая документация
Datasheet IRF9540NLPBF
pdf, 326 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
