IRF9Z24S
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
160 руб.
от 10 шт. —
136 руб.
от 50 шт. —
123 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Номенклатурный номер: 8002025585
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
MOSFET, P, 60V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.28ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Power Dissipation Pd:60W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; Alternate Case Style:TO-262AB; Current Id Max:-11A; Operating Temperature Min:-55°C; Pulse Current Idm:44A; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:-60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В C ~ 175В C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.7W(Ta), 60W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm 6.6A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V 250ВuA |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF9Z |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Вес, г | 2.34 |
Техническая документация
Datasheet IRF9Z24SPBF
pdf, 179 КБ
