IRFB9N65A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
810 руб.
от 2 шт. —
680 руб.
от 5 шт. —
608 руб.
от 10 шт. —
567.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 810 руб.
Номенклатурный номер: 8002025627
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 5,4А, 167Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 8.5A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1417pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 930mOhm @ 5.1A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.917 |
Техническая документация
Документация
pdf, 297 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
