IRFBC20
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
191 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
173 руб.
от 50 шт. —
152.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 8002025629
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
N CHANNEL MOSFET, 600V, 2.2A TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.2A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):4.4ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.2A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 1.3A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Base Product Number | IRFBC20 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1643 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
