IRFL214
60 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
490 руб.
от 2 шт. —
390 руб.
от 5 шт. —
319 руб.
от 10 шт. —
293.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Номенклатурный номер: 8002025750
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 250V; RDS(ON) 2 Ohms; ID 0.79A; SOT-223; PD 3.1W; VGS +/-20V
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 790mA(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W(Ta), 3.1W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 470mA, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.2633 |
Техническая документация
Документация
pdf, 274 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
