IRFR024N

IRFR024N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2950 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.100 руб.
от 10 шт.81 руб.
от 100 шт.61.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8002025949
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:17A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.075ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Product Range:- , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
Maximum Continuous Drain Current - (A) 17
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 75@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 55
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 4
Maximum Power Dissipation - (mW) 45000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 20(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 20(Max)@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 370@25V
Typical Output Capacitance - (pF) 140
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 406 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.