IRL520N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
168 руб.
от 40 шт. —
148.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Номенклатурный номер: 8002026695
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В, 10А, 48Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 48W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±16V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
Вес, г | 2.833 |
Техническая документация
Datasheet IRL520NPBF
pdf, 308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.