IRL520N

IRL520N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
40 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.200 руб.
от 10 шт.168 руб.
от 40 шт.148.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 520 руб.
Номенклатурный номер: 8002026695
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В, 10А, 48Вт Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 10A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 48W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 10V
Series HEXFETВ®
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250ВµA
Вес, г 2.833

Техническая документация

Datasheet IRL520NPBF
pdf, 308 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.