IRL520NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 4-9 дней
450 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Номенклатурный номер: 8002026696
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Pow
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Discontinued at Digi-Key |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W(Ta), 48W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 408 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
