AUIRFB8405
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
460 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 10 шт. —
323 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Номенклатурный номер: 8002032714
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AUIRFB8405 от производителя INFINEON, представляет собой высокопроизводительный компонент типа N-MOSFET с монтажом THT. Обладает током стока до 120 А и напряжением сток-исток 40 В, что обеспечивает его широкую область применения. Мощность составляет 163 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0021 Ом, указывая на его высокую эффективность. Корпус TO220AB обеспечивает надежность и долговечность использования. Транзистор AUIRFB8405 идеально подходит для мощных и энергоэффективных решений в электронике. Код продукта AUIRFB8405 позволяет легко найти и заказать данный транзистор для реализации ваших проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 120 |
| Напряжение сток-исток, В | 40 |
| Мощность, Вт | 163 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0021 |
| Корпус | TO220AB |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 77 ns |
| Forward Transconductance - Min | 100 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 163 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 107 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 mOhms |
| Rise Time | 128 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolIRFet |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V to 3.9 V |
| Width | 4.4 mm |
| Вес, г | 3.21 |
Техническая документация
auirfb8405
pdf, 222 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
