NGTB40N120L3WG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
818 руб.
717 руб.
от 10 шт. —
641 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 717 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Описание
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 16.25мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 160 A |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 454 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 5.3мм |
| Высота | 21.34мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16.25 x 5.3 x 21.34мм |
| Скорость переключения | 1МГц |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Емкость затвора | 4912пФ |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 16.25mm |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Brand | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 160 A |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 454 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 5.3мм |
| Height | 21.34mm |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16.25 x 5.3 x 21.34mm |
| Switching Speed | 1МГц |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Channel Type | N |
| Gate Capacitance | 4912pF |
| Pd - рассеивание мощности | 454 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 160 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO247-3 |
| Base Product Number | NGTB40 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 160A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 220nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 454W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 86ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.5mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 18ns/150ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Дополнительная информация
Datasheet NGTB40N120L3WG
Datasheet NGTB40N120L3WG
Datasheet NGTB40N120L3WG
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
