NGTB40N120L3WG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Фото 2/3 NGTB40N120L3WG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 TubeФото 3/3 NGTB40N120L3WG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Фото 1/3 NGTB40N120L3WG, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
818 руб.
717 руб.
от 10 шт.641 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 717 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002234793
Артикул: NGTB40N120L3WG
Производитель: ON Semiconductor

Описание

IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 16.25мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 160 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 454 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 5.3мм
Высота 21.34мм
Число контактов 3
Размеры 16.25 x 5.3 x 21.34мм
Скорость переключения 1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер ±20V
Тип канала N
Емкость затвора 4912пФ
Максимальная рабочая температура +175 °C
Длина 16.25mm
Конфигурация транзистора Одинарный
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора 160 A
Тип корпуса TO-247
Максимальное рассеяние мощности 454 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 5.3мм
Height 21.34mm
Число контактов 3
Размеры 16.25 x 5.3 x 21.34mm
Switching Speed 1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Channel Type N
Gate Capacitance 4912pF
Pd - рассеивание мощности 454 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 160 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO247-3
Base Product Number NGTB40 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 160A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
ECCN EAR99
Gate Charge 220nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 454W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 86ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 1.5mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 18ns/150ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V

Дополнительная информация

Datasheet NGTB40N120L3WG
Datasheet NGTB40N120L3WG
Datasheet NGTB40N120L3WG

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах