IRF7413ZTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал 30В 13А [SO-8]
![Фото 1/4 IRF7413ZTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал 30В 13А [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 руб.
от 50 шт. —
64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 68 руб.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.01 Ом/13А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 62 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF7413ZTRPBF
pdf, 284 КБ
Datasheet IRF7413ZPBF
pdf, 284 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
