IRF640NLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

Ном. номер: 8002239276
PartNumber: IRF640NLPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF640NLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 IRF640NLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
154 руб.
2848 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 10 шт. — 139 руб.
от 100 шт. — 117 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
180 руб. 8 дней, 1005 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 150 руб.
92 руб. 3-4 недели, 2848 шт. 1 шт. 83 шт.
от 401 шт. — 72.10 руб.
150 руб. 3-4 недели, 223 шт. 1 шт. 3 шт.
от 7 шт. — 100 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
18 A
Тип корпуса
I2PAK (TO-262)
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
11.3мм
Размеры
10.67 x 4.83 x 11.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
23 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
67 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1160 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet IRF640NLPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.