TSM4N90CZ C0G, Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 6-8 недель
96 руб.
Мин. кол-во для заказа 340 шт.
Добавить в корзину 340 шт.
на сумму 32 640 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
N-канал 900V 4A (Tc) 38,7W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Технические параметры
| Base Product Number | TSM4N90 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 955pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 38.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 2A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet TSM4N90CZ C0G
pdf, 426 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
