2N4403TF, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
71 руб.
от 100 шт. —
28 руб.
от 1000 шт. —
18.32 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Transistor General Purpose
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 4.7 mm |
Длина | 4.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | 2N4403 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
Ширина | 3.93 mm |
Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 395 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов