FDPF20N50T, Транзистор: N-MOSFET

FDPF20N50T, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
900 руб.
от 3 шт.800 руб.
от 10 шт.620 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 900 руб.
Номенклатурный номер: 8018885763
Артикул: FDPF20N50T

Описание

МОП-транзистор 500V 20A NCH МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 20 A
Pd - рассеивание мощности 38.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 230 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 375 ns
Время спада 105 ns
Высота 16.07 mm
Длина 10.36 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 24.6 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FDPF20N50T
Технология Si
Тип MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 100 ns
Типичное время задержки при включении 95 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220FP-3
Ширина 4.9 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet FDPF20N50T
pdf, 773 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов