FGH60N60SFTU, Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

FGH60N60SFTU, Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 378000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
98 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
1 010 руб.
от 10 шт.839 руб.
от 25 шт.660 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 010 руб.
Номенклатурный номер: 8002308254
Артикул: FGH60N60SFTU
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH / 600V 60A/ FS

Технические параметры

Вид монтажа Through Hole
Высота 20.6 mm
Длина 15.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 120 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 450
Серия FGH60N60SF
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247AB-3
Ширина 4.7 mm
Base Product Number FGH60 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
ECCN EAR99
Gate Charge 198nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 378W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 1.79mJ (on), 670ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 22ns/134ns
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V

Дополнительная информация

Datasheet FGH60N60SFTU
Datasheet FGH60N60SFTU

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах