FCA47N60-F109
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 260 руб.
от 2 шт. —
4 060 руб.
от 5 шт. —
3 890 руб.
от 10 шт. —
3 702.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 260 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 29,7А; Idm: 141А; 417Вт; TO3PN
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 47A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 23.5A, 10V |
| Series | SuperFETв(ў |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 47 A |
| Pd - рассеивание мощности | 417 W |
| Qg - заряд затвора | 270 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 210 ns |
| Время спада | 75 ns |
| Высота | 20.1 mm |
| Длина | 16.2 mm |
| Другие названия товара № | FCA47N60_F109 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Серия | FCA47N60_F109 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 520 ns |
| Типичное время задержки при включении | 185 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Ширина | 5 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 47 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 70 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 417000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-3P |
| Supplier Package | TO-3P |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 75 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 210 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 210 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5900 25V |
| Typical Rise Time (ns) | 210 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 520 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 185 |
| Drain Source On State Resistance | 0.058Ом |
| Power Dissipation | 417Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | SuperFET |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 47А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 417Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.058Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PN |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
